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DS1225AB-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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Technische Details DS1225AB-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AB-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DS1225AB-200+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
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DS1225AB-200 | Hersteller : DALLAS |
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DS1225AB-200 | Hersteller : DALLAS |
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DS1225AB-200 | Hersteller : DALLAS |
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DS1225AB-200 | Hersteller : DALLAS |
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DS1225AB-200+ | Hersteller : Maxim |
![]() Anzahl je Verpackung: 12 Stücke |
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DS1225AB-200 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
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DS1225AB-200 | Hersteller : Maxim Integrated |
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DS1225AB-200+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
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