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DS1220AB-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 24-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 30.4 EUR |
14+ | 28.31 EUR |
28+ | 28.01 EUR |
56+ | 27.32 EUR |
112+ | 23.98 EUR |
252+ | 23.17 EUR |
504+ | 22.55 EUR |
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Technische Details DS1220AB-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AB-150+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 150 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 150ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DS1220AB-150+ | Hersteller : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DS1220AB-150 | Hersteller : DALLAS |
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auf Bestellung 731 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1220AB-150 | Hersteller : DALLAS |
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auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1220AB-150 | Hersteller : DALLAS |
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auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1220AB-150 | Hersteller : DALLAS |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DS1220AB-150+ | Hersteller : Maxim |
![]() Anzahl je Verpackung: 14 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1220AB-150+ | Hersteller : Maxim |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1220AB-150+ | Hersteller : Maxim Integrated Products |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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DS1220AB-150 | Hersteller : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
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DS1220AB-150+ | Hersteller : Analog Devices / Maxim Integrated |
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