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DN3135N8-G Microchip Technology
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Technische Details DN3135N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DN3135N8-G nach Preis ab 0.82 EUR bis 1.34 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
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DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
auf Bestellung 19603 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DN3135N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DN3135N8-G | Hersteller : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DN3135N8-G | Hersteller : SUPERTEX |
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auf Bestellung 3790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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DN3135N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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DN3135N8-G | Hersteller : Microchip Technology |
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DN3135N8-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted |
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