DN2625K4-G Microchip Technology
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Technische Details DN2625K4-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DN2625, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DN2625K4-G nach Preis ab 1.73 EUR bis 2.68 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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DN2625K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DN2625K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DN2625K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DN2625K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DN2625K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 250V 3.3A |
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DN2625K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V FET Feature: Depletion Mode Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
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DN2625K4-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DN2625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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DN2625K4-G | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2625K4-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.1 A, 3.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DN2625 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DN2625K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 1.1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 0V FET Feature: Depletion Mode Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.04 nC @ 1.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
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DN2625K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DN2625K4-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; 2.5W; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.1A Mounting: SMD Case: TO252 Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DN2625K4-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 1.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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DN2625K4-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 1.1A; 2.5W; TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.1A Mounting: SMD Case: TO252 Drain-source voltage: 250V On-state resistance: 3.5Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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