DN2535N3-G Microchip Technology
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Technische Details DN2535N3-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92, Packaging: Bag, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1W (Tc), Supplier Device Package: TO-92 (TO-226), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote DN2535N3-G nach Preis ab 0.96 EUR bis 1.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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DN2535N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
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DN2535N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
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DN2535N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.15A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DN2535N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 1W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.15A Power dissipation: 1W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted |
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DN2535N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
MOSFET 350V 25Ohm |
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,TO-226_straightlead.jpg "DN2535N3-G") |
DN2535N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
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DN2535N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
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DN2535N3-G Produktcode: 189197 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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DN2535N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
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DN2535N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
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