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DN2530N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 1.6W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depleted
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 652 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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72+ | 1 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
79+ | 0.92 EUR |
82+ | 0.87 EUR |
87+ | 0.83 EUR |
100+ | 0.82 EUR |
250+ | 0.79 EUR |
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Technische Details DN2530N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY
Description: MICROCHIP - DN2530N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 175mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 740mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DN2530N3-G nach Preis ab 0.79 EUR bis 1.65 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DN2530N3-G | Hersteller : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 1.6W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Pulsed drain current: 0.2A Power dissipation: 1.6W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: depleted |
auf Bestellung 652 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DN2530N3-G | Hersteller : Microchip Technology |
![]() Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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auf Bestellung 648 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DN2530N3-G | Hersteller : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 634 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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