DMTH84M1SPSQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
auf Bestellung 2475 Stücke:
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Technische Details DMTH84M1SPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMTH84M1SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH84M1SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm |
auf Bestellung 2475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMTH84M1SPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED | DMTH84M1SPSQ-13 SMD N channel transistors |
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