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DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13 Diodes Incorporated

DMTH8012LK3Q.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A
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Technische Details DMTH8012LK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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DMTH8012LK3Q-13 DMTH8012LK3Q-13 Hersteller : DIODES INC. DMTH8012LK3Q.pdf Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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DMTH8012LK3Q-13 DMTH8012LK3Q-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LK3Q.pdf Description: MOSFET NCH 80V 50A TO252
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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DMTH8012LK3Q-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH8012LK3Q.pdf DMTH8012LK3Q-13 SMD N channel transistors
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