Produkte > DIODES INCORPORATED > DMTH8012LK3-13
DMTH8012LK3-13

DMTH8012LK3-13 Diodes Incorporated


DMTH8012LK3.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
auf Bestellung 6614 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.49 EUR
10+ 1.22 EUR
100+ 0.95 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.65 EUR
2500+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMTH8012LK3-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote DMTH8012LK3-13

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMTH8012LK3-13 DMTH8012LK3-13 Hersteller : DIODES INC. DMTH8012LK3.pdf Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMTH8012LK3-13 DMTH8012LK3-13 Hersteller : DIODES INC. DMTH8012LK3.pdf Description: DIODES INC. - DMTH8012LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 50 A, 0.0121 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMTH8012LK3-13 DMTH8012LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DMTH8012LK3-13 DMTH8012LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
DMTH8012LK3-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH8012LK3.pdf DMTH8012LK3-13 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH8012LK3-13 DMTH8012LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar
DMTH8012LK3-13 DMTH8012LK3-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH8012LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 50A TO252
Produkt ist nicht verfügbar