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DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0005424729_1-2542782.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
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Technische Details DMTH10H010LCTB-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; Idm: 400A; 3.9W; TO263AB, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 53.7nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 400A, Case: TO263AB, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 71A, On-state resistance: 17mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.9W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 800 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMTH10H010LCTB-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH10H010LCTB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; Idm: 400A; 3.9W; TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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DMTH10H010LCTB-13 DMTH10H010LCTB-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMTH10H010LCTB.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
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DMTH10H010LCTB-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMTH10H010LCTB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; Idm: 400A; 3.9W; TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 71A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
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