DMTH10H009LPSQ-13 DIODES INC.
Hersteller: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
auf Bestellung 2370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMTH10H009LPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H009LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.006 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm.
Weitere Produktangebote DMTH10H009LPSQ-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH10H009LPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 360A; 3.1W Application: automotive industry Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 40.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 360A Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| DMTH10H009LPSQ-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 360A; 3.1W Application: automotive industry Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 40.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 360A Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 100V Drain current: 11A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |