DMT6012LFV-7 DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI3333-8
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.95W
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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Technische Details DMT6012LFV-7 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: PowerDI3333-8, Pulsed drain current: 170A, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 34.7A, On-state resistance: 15mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.95W, Gate charge: 22.2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMT6012LFV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 |
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DMT6012LFV-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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| DMT6012LFV-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerDI3333-8 Pulsed drain current: 170A Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.7A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.95W Gate charge: 22.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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