DMT6012LFV-13 DIODES INCORPORATED
Hersteller: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details DMT6012LFV-13 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 34.7A, On-state resistance: 15mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.95W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 22.2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 170A, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMT6012LFV-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMT6012LFV-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMT6012LFV-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V |
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| DMT6012LFV-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.7A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.95W Polarisation: unipolar Gate charge: 22.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 170A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 |
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