DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.005 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMT6008LFG-7 nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DMT6008LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF |
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DMT6008LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V |
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DMT6008LFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.005 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT6008LFG-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.005 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMT6008LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 50.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| DMT6008LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A On-state resistance: 11.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 50.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 |
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