DMT6007LFG-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMT6007LFG-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, On-state resistance: 8.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.2W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 41.3nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80A, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMT6007LFG-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMT6007LFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 41.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMT6007LFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333 |
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| DMT6007LFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A On-state resistance: 8.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 41.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 |
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