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Technische Details DMT3006LPB-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 12.6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 80...100A, Case: PowerDI5060-8, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 9/11A, On-state resistance: 14mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote DMT3006LPB-13 nach Preis ab 0.45 EUR bis 0.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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| DMT3006LPB-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506 |
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| DMT3006LPB-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W Mounting: SMD Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80...100A Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9/11A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| DMT3006LPB-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9/11A; Idm: 80÷100A; 1.7W Mounting: SMD Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80...100A Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9/11A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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