![DMT3006LFV-13 DMT3006LFV-13](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/509/31%3BPowerDI3333-8%3B%3B8.jpg)
DMT3006LFV-13 Diodes Incorporated
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Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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6000+ | 0.4 EUR |
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Technische Details DMT3006LFV-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0056 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMT3006LFV-13 nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.13 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMT3006LFV-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT3006LFV-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V |
auf Bestellung 11940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMT3006LFV-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT3006LFV-13 | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMT3006LFV-13 | Hersteller : Diodes Inc |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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DMT3006LFV-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W Mounting: SMD Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 45A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMT3006LFV-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 45A; Idm: 90A; 2W Mounting: SMD Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 45A On-state resistance: 11mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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