DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 0.57 EUR |
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Technische Details DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMPH6050SK3Q-13 nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 |
auf Bestellung 12498 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V |
auf Bestellung 11114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMPH6050SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 23.6 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 60V 7.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMPH6050SK3Q-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6A; Idm: -40A; 3.8W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 3.8W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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