DMP4013LFGQ-7 Diodes Zetex
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Technische Details DMP4013LFGQ-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP4013LFGQ-7 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 1541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 1541 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
auf Bestellung 2922 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3426 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4739 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4013LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.3 A, 0.0094 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
auf Bestellung 52000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 40V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
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| DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W Gate charge: 68.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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| DMP4013LFGQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A; 2.1W Gate charge: 68.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: -40V Drain current: -11A On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
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