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Technische Details DMP3098LSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP3098LSS-13 nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMP3098LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V |
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DMP3098LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 336 pF @ 25 V |
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DMP3098LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs PMOS SINGLE P-CHANNL 30V 5.3A |
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DMP3098LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMP3098LSS-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3098LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.056 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3098LSS-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3098LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMP3098LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.7A; Idm: -20A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.7A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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