DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.0A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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Technische Details DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3036SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.016 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP3036SSD-13 nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 18.0A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.0A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1931pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss |
auf Bestellung 2842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3036SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.016 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3036SSD-13 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 18 A, 18 A, 0.016 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 18A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.016ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 10.6A 8-Pin SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -80A; 1.1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 1.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMP3036SSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; Idm: -80A; 1.1W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 1.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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