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DMP3028LPSQ-13

DMP3028LPSQ-13 Diodes Incorporated


DMP3028LPSQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1372 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details DMP3028LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.28W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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DMP3028LPSQ-13 DMP3028LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMP3028LPSQ.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 21A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.28W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1372 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
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DMP3028LPSQ-13 DMP3028LPSQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145086_1-2542457.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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1000+ 0.64 EUR
2500+ 0.57 EUR
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DMP3028LPSQ-13 DMP3028LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DMP3028LPSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.28W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
DMP3028LPSQ-13 DMP3028LPSQ-13 Hersteller : DIODES INC. DMP3028LPSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMP3028LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 21 A, 0.018 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.28W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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DMP3028LPSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3028LPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -70A; 2.12W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.12W
On-state resistance: 38mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: -17A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -70A
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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DMP3028LPSQ-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMP3028LPSQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -70A; 2.12W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.12W
On-state resistance: 38mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: -17A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -70A
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