DMP3021SFVWQ-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1799 pF @ 15 V
auf Bestellung 678000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2000+ | 0.42 EUR |
| 6000+ | 0.4 EUR |
| 10000+ | 0.37 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMP3021SFVWQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote DMP3021SFVWQ-7 nach Preis ab 0.39 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP3021SFVWQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
DMP3021SFVWQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3021SFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 42 A, 0.0103 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| DMP3021SFVWQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K |
auf Bestellung 1757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
 |
DMP3021SFVWQ-7 | Hersteller : Diodes Inc |
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |