auf Bestellung 1626000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.06 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMP21D6UFD-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP21D6UFD-7 nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1641000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 0.4W; X1-DFN1212-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.25A Power dissipation: 0.4W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.25A; 0.4W; X1-DFN1212-3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.25A Power dissipation: 0.4W Case: X1-DFN1212-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 2880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
auf Bestellung 6637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46.1 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1643662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP21D6UFD-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, X1-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X1-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
DMP21D6UFD-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin X1-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |