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Technische Details DMP2110UW-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP2110UW-7 nach Preis ab 0.086 EUR bis 0.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMP2110UW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V |
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DMP2110UW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K |
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DMP2110UW-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 490mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V |
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DMP2110UW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMP2110UW-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMP2110UW-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP2110UW-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R |
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DMP2110UW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -15A; 650mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 0.65W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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DMP2110UW-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; Idm: -15A; 650mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 0.65W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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