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Technische Details DMP2008UFG-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMP2008UFG-13 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2008UFG-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 54 A, 0.008 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin PowerDI EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMP2008UFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -80A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 |
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DMP2008UFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V P-CH MOSFET |
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| DMP2008UFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -80A; 2.4W Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A On-state resistance: 17mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -80A |
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