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Technische Details DMN62D1SFB-7B Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V.
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 40mA, 10V Power Dissipation (Max): 470mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 40 V |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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DMN62D1SFB-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A 3-Pin DFN T/R |
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