auf Bestellung 93183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 0.75 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.24 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
| 3000+ | 0.12 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMN62D1LFDQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: U-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN62D1LFDQ-7 nach Preis ab 0.1 EUR bis 0.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN62D1LFDQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: U-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
|
|
DMN62D1LFDQ-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFDQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: U-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
| DMN62D1LFDQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||
| DMN62D1LFDQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||
| DMN62D1LFDQ-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin UDFN EP T/R |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||
| DMN62D1LFDQ-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3 |
auf Bestellung 129000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||
| DMN62D1LFDQ-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
DMN62D1LFDQ-7 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |