DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details DMN62D1LFD-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: U-DFN1212, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN62D1LFD-7 nach Preis ab 0.044 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.4A 32pF |
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DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1212-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
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DMN62D1LFD-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: U-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMN62D1LFD-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN62D1LFD-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 400 mA, 0.8 ohm, U-DFN1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: U-DFN1212 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
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| DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
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| DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
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| DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
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| DMN62D1LFD-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin X1-DFN T/R |
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