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DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13 Diodes Zetex


294dmn6070ssd.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
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Technische Details DMN6070SSD-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.

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DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6070SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6070SSD.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
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DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Hersteller : Diodes Zetex 294dmn6070ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
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DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Hersteller : Diodes Zetex 294dmn6070ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
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DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN6070SSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3.6A
Drain-source voltage: 60V
Case: SO8
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.2W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED DMN6070SSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.6A; 1.2W; SO8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel; tape
Drain current: 3.6A
Drain-source voltage: 60V
Case: SO8
Kind of channel: enhanced
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Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.2W
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DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN6070SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 588pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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DMN6070SSD-13 DMN6070SSD-13 Hersteller : Diodes Inc 294dmn6070ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R
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