DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN6069SFG-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 4.5A, On-state resistance: 63mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.4W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 25nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 25A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN6069SFG-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMN6069SFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMN6069SFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 |
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| DMN6069SFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 63mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A |
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