DMN6068SE-13 Diodes Zetex
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Technische Details DMN6068SE-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.
Weitere Produktangebote DMN6068SE-13 nach Preis ab 0.21 EUR bis 0.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; SOT223 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502 pF @ 30 V |
auf Bestellung 15390 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 60V N-CHAN |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 6395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN6068SE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.1 A, 0.068 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
auf Bestellung 9277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6068SE-13 | Hersteller : DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 60V 4.1A 68mΩ 2W DMN6068SE-13 Diodes TDMN6068se Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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DMN6068SE-13 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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