Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN4035LQ-13
DMN4035LQ-13

DMN4035LQ-13 Diodes Incorporated

DMN4035LQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.19 EUR
50000+ 0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN4035LQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 720mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote DMN4035LQ-13 nach Preis ab 0.17 EUR bis 0.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMN4035LQ-13 DMN4035LQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009691206_1-2543346.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
auf Bestellung 11761 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.65 EUR
10+ 0.56 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.22 EUR
2500+ 0.21 EUR
10000+ 0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5
DMN4035LQ-13 DMN4035LQ-13 Hersteller : Diodes Incorporated DMN4035LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 217913 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
28+0.65 EUR
32+ 0.55 EUR
100+ 0.39 EUR
500+ 0.3 EUR
1000+ 0.24 EUR
2000+ 0.22 EUR
5000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 28
DMN4035LQ-13 Hersteller : Diodes Zetex dmn4035lq.pdf N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 10000
DMN4035LQ-13 Hersteller : Diodes Inc dmn4035lq.pdf N-Channel Enhancement Mode Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar