DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN4027SSD-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.7A; Idm: 28A; 2.14W; SO8, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 47mΩ, Kind of package: reel; tape, Drain current: 5.7A, Drain-source voltage: 40V, Case: SO8, Gate charge: 12.9nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 28A, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Power dissipation: 2.14W, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN4027SSD-13
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DMN4027SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO |
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DMN4027SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO |
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DMN4027SSD-13 | Hersteller : Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO |
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DMN4027SSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.7A; Idm: 28A; 2.14W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 47mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 5.7A Drain-source voltage: 40V Case: SO8 Gate charge: 12.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 28A Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 2.14W Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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DMN4027SSD-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.7A; Idm: 28A; 2.14W; SO8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 47mΩ Kind of package: reel; tape Drain current: 5.7A Drain-source voltage: 40V Case: SO8 Gate charge: 12.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 28A Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Power dissipation: 2.14W |
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