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DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13 Diodes Incorporated


Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET 40V N-Ch Enh FET 20Vgs 19.2A 74nC
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Technische Details DMN4008LFG-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 15.4A, On-state resistance: 20mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.3W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 74nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 90A, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN4008LFG-13 DMN4008LFG-13 Hersteller : Diodes Inc dmn4008lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMN4008LFG-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15.4A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 74nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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DMN4008LFG-13 DMN4008LFG-13 Hersteller : Diodes Zetex dmn4008lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 14.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
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DMN4008LFG-13 Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 15.4A; Idm: 90A; 2.3W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 15.4A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 74nC
Kind of channel: enhanced
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Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
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