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Technische Details DMN3900UFA-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 550mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN3900UFA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V |
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DMN3900UFA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-CH MOSFET |
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DMN3900UFA-7B | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42.2 pF @ 25 V |
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DMN3900UFA-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R |
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DMN3900UFA-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 550mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN3900UFA-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3900UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 550 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 390mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN3900UFA-7B | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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DMN3900UFA-7B | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.55A 3-Pin X2-DFN T/R |
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| DMN3900UFA-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 520mA; Idm: 2.5A; 390mW Mounting: SMD Case: X2-DFN0806-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.39W Drain-source voltage: 30V Drain current: 520mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 2.5A Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
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| DMN3900UFA-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 520mA; Idm: 2.5A; 390mW Mounting: SMD Case: X2-DFN0806-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.39W Drain-source voltage: 30V Drain current: 520mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 2.5A |
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