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DMN3730UFB4-7B

DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated


Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
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Technische Details DMN3730UFB4-7B Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW, Case: X2-DFN1006-3, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, On-state resistance: 0.73Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.69W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 1.6nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 3A, Drain current: 730mA, Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN3730UFB4-7B Hersteller : Diodes Inc 39838522059453864dmn3730ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
DMN3730UFB4-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW
Case: X2-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.73Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 3A
Drain current: 730mA
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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DMN3730UFB4-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW
Case: X2-DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.73Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 3A
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