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Technische Details DMN32D2LDF-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-353, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN32D2LDF-7 nach Preis ab 0.069 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 280mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-353 |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R |
auf Bestellung 3154 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.28W Case: SOT353 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: common source Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 400mA; 280mW; SOT353 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.28W Case: SOT353 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: common source Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 350mw 30V DUAL |
auf Bestellung 3444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 280mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 3V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 100mA, 4V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-353 |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R |
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DMN32D2LDF-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 5-Pin SOT-353 T/R |
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