Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN31D5UDA-7B
DMN31D5UDA-7B

DMN31D5UDA-7B Diodes Incorporated


DIOD_S_A0008363694_1-2543010.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 8340 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+0.38 EUR
11+ 0.26 EUR
100+ 0.11 EUR
1000+ 0.065 EUR
2500+ 0.06 EUR
10000+ 0.049 EUR
20000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN31D5UDA-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-6.

Weitere Produktangebote DMN31D5UDA-7B nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.39 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMN31D5UDA-7B DMN31D5UDA-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN31D5UDA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
auf Bestellung 7036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+0.39 EUR
68+ 0.26 EUR
138+ 0.13 EUR
500+ 0.11 EUR
1000+ 0.074 EUR
2000+ 0.064 EUR
5000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 46
DMN31D5UDA-7B Hersteller : Diodes Inc dmn31d5uda.pdf DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
DMN31D5UDA-7B DMN31D5UDA-7B Hersteller : Diodes Incorporated DMN31D5UDA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 0.4A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
Produkt ist nicht verfügbar