DMN3061LCA3-7 DIODES INCORPORATED
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W
Mounting: SMD
Case: X4-DSN1006-3
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.88W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Technische Details DMN3061LCA3-7 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W, Mounting: SMD, Case: X4-DSN1006-3, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 1.88W, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 1.4nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 20A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 3.5A, On-state resistance: 0.16Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMN3061LCA3-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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DMN3061LCA3-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W Mounting: SMD Case: X4-DSN1006-3 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.88W Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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