DMN3029LFG-7 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN3029LFG-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 2.07W, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Kind of package: reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Drain current: 7.7A, Drain-source voltage: 30V, Power dissipation: 2.07W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 11.3nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±25V, Pulsed drain current: 70A, On-state resistance: 26.5mΩ, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN3029LFG-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMN3029LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 2.07W Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 7.7A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 2.07W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 70A On-state resistance: 26.5mΩ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN3029LFG-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
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| DMN3029LFG-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 2.07W Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 7.7A Drain-source voltage: 30V Power dissipation: 2.07W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 70A On-state resistance: 26.5mΩ |
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