DMN3027LFG-13 DIODES INCORPORATED
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Power dissipation: 3W
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 70A
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26.5mΩ
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details DMN3027LFG-13 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 3W, Mounting: SMD, Case: PowerDI3333-8, Power dissipation: 3W, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 70A, Gate charge: 11.3nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 7.7A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 30V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 26.5mΩ, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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DMN3027LFG-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
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DMN3027LFG-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 70A; 3W Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Power dissipation: 3W Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 70A Gate charge: 11.3nC Polarisation: unipolar Drain current: 7.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26.5mΩ |
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