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Technische Details DMN3025LSS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 40A; 1.1W; SO8, Mounting: SMD, Case: SO8, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 13.2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 40A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 7.7A, On-state resistance: 31mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.1W, Polarisation: unipolar, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN3025LSS-13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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DMN3025LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 40A; 1.1W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 13.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.7A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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DMN3025LSS-13 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO |
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DMN3025LSS-13 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 40A; 1.1W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Gate charge: 13.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.7A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar |
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