DMN3025LFDF-7 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN3025LFDF-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 660mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: UDFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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DMN3025LFDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
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DMN3025LFDF-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
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DMN3025LFDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 660mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0205ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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DMN3025LFDF-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN3025LFDF-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: reel; tape Gate charge: 13.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.9A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMN3025LFDF-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: reel; tape Gate charge: 13.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.9A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar |
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