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DMN2991UFO-7B

DMN2991UFO-7B Diodes Incorporated


DIOD_S_A0012994300_1-2543862.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-3 T&R 10K
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Technische Details DMN2991UFO-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0604, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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DMN2991UFO-7B DMN2991UFO-7B Hersteller : DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2991UFO-7B DMN2991UFO-7B Hersteller : DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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DMN2991UFO-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.43A; Idm: 1.2A; 0.44W
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0604-3
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.43A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
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DMN2991UFO-7B Hersteller : DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.43A; Idm: 1.2A; 0.44W
Mounting: SMD
Case: X2-DFN0604-3
Pulsed drain current: 1.2A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.43A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.44W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.35nC
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