DMN2991UFO-7B Diodes Incorporated
auf Bestellung 8528 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
6+ | 0.48 EUR |
10+ | 0.32 EUR |
100+ | 0.13 EUR |
1000+ | 0.081 EUR |
2500+ | 0.074 EUR |
10000+ | 0.06 EUR |
20000+ | 0.058 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMN2991UFO-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0604, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN2991UFO-7B
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
DMN2991UFO-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
DMN2991UFO-7B | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 9190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
DMN2991UFO-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.43A; Idm: 1.2A; 0.44W Mounting: SMD Case: X2-DFN0604-3 Pulsed drain current: 1.2A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.43A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.44W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
DMN2991UFO-7B | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.43A; Idm: 1.2A; 0.44W Mounting: SMD Case: X2-DFN0604-3 Pulsed drain current: 1.2A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.43A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.44W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
Produkt ist nicht verfügbar |