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DMN2990UDJQ-7 DIODES INCORPORATED


DMN2990UDJQ.pdf Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT963
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 0.8A
Mounting: SMD
Case: SOT963
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
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Technische Details DMN2990UDJQ-7 DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT963, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.35A, On-state resistance: 2.4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.35W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.5nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 0.8A, Mounting: SMD, Case: SOT963, Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke.

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