DMN2501UFB4-7 Diodes Incorporated
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details DMN2501UFB4-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW, Mounting: SMD, Case: X2-DFN1006-3, Pulsed drain current: 6A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.4A, On-state resistance: 0.7Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.7W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 2nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±8V, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN2501UFB4-7 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2501UFB4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K |
auf Bestellung 2645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2501UFB4-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin X2-DFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| DMN2501UFB4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW Mounting: SMD Case: X2-DFN1006-3 Pulsed drain current: 6A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| DMN2501UFB4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW Mounting: SMD Case: X2-DFN1006-3 Pulsed drain current: 6A Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
Produkt ist nicht verfügbar |