DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated
Hersteller: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.39W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.22 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| 9000+ | 0.19 EUR |
| 75000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details DMN2300UFL4-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: X2-DFN1310, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote DMN2300UFL4-7 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 200mOhm 8V VGSS |
auf Bestellung 3687 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.39W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.11A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 128.6pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 300mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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DMN2300UFL4-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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DMN2300UFL4-7 | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2300UFL4-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 2.11 A, 2.11 A, 0.151 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.151ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.39W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.151ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.39W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 2375 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
auf Bestellung 186000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.11A 6-Pin X2-DFN T/R |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.19A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1.39W Case: X2-DFN1310-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| DMN2300UFL4-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.19A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 1.39W Case: X2-DFN1310-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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