Produkte > DIODES INCORPORATED > DMN2053UVTQ-7
DMN2053UVTQ-7

DMN2053UVTQ-7 Diodes Incorporated

DMN2053UVTQ.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.16 EUR
6000+ 0.15 EUR
9000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details DMN2053UVTQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote DMN2053UVTQ-7 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
DMN2053UVTQ-7 DMN2053UVTQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DMN2053UVTQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 23842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
31+0.58 EUR
39+ 0.46 EUR
100+ 0.27 EUR
500+ 0.25 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31
DMN2053UVTQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2053uvtq.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
DMN2053UVTQ-7 Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011803037_1-2543787.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 66-70 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.59 EUR
10+ 0.48 EUR
100+ 0.33 EUR
1000+ 0.19 EUR
3000+ 0.16 EUR
9000+ 0.15 EUR
24000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
DMN2053UVTQ-7 Hersteller : Diodes Zetex dmn2053uvtq.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar