DMN2041UFDB-7 Diodes Incorporated
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Technische Details DMN2041UFDB-7 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 20A; 2.2W, Mounting: SMD, Case: U-DFN2020-6, Pulsed drain current: 20A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 4.9A, On-state resistance: 65mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.2W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 15nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote DMN2041UFDB-7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| DMN2041UFDB-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 20A; 2.2W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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DMN2041UFDB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN |
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DMN2041UFDB-7 | Hersteller : Diodes Incorporated |
MOSFET 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| DMN2041UFDB-7 | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 20A; 2.2W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V |
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